Процессоры, технологии - штрихи историина страницах сайта www.electrosad.ru | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Уже встретили 2011, приближается 2012 год, посмотрев старые прогнозы,
в том числе и
Intel и сравним их с сегодняшней ситуацией попробуем
оценить перспективы развития процессоров и
компьютерной техники.
Вспомнил старую статью "Будущее технологии КМОП", [5] и стало интересно сравнить то о чем писал автор в 2000 году как анализ предыдущего десятилетия и что, по его мнению, ожидало нас впереди. Тем более интересно сравнить с реалиями промышленности и посмотреть немного вперед. 16.10.2000
Рисунок 1. На рисунке 1 а,б приведены прогнозы А. Ранделла вплоть до 2010-2015 годов. Рисунок 1.а - показаны перспективы освоения технологических норм при производстве КМОП чипов, показана реальная тенденция. Правда некоторые скажут 2011 год Intel уже работает на уровне 32 нм, но можно ли считать 32 нм процесс полностью заменившим 45 нм в промышленности и даже на той же самой компании Intel? На рисунке 1.в показана реальная характеристика до текушей даты и мой прогноз до 2020 года. Они почти полностью совпадают с рис.1.а.
На рисунке 1.б - показаны перспективы роста тактовой частоты причем прямая линия показывает тот рост тактовой частоты, который определяется снижением размеров транзисторов при переходе на более тонкие технологические процессы. Но реальный рост тактовой частоты не может продолжаться бесконечно. А. Ранделла предсказал появление на тактовых частотах более нескольких гигагерц. Думаю, хоть и реальный предел 4ГГц отличается от прогнозировавшейся, но общая тенденция предсказана правильно. Реальная ситуация отражена на рис. 1.г. Причиной остановки роста тактовой частоты являются:
Почему я и обратил внимание на данный прогноз, удивительная точность в ожидаемых тенденциях и характерных точках. И этот прогноз сделан в 2000 году.
Теперь посмотрим на эволюцию тех. процессоров за прошедшее время.
Даже с 2000 года (0,13 мкм) технологии шагнули далеко вперед, и сейчас обсуждаются техпроцессы менее 32 нм и отрабатываются элементы 22 нм техпроцессов, а число транзисторов на чипе процессора, за это время, возросло почти в 20 раз. На рисунке 2 показаны изменения размеров транзистора (толщины затвора) за период с 2000 - 2001 года по настоящее время.
Рисунок 2.
Рис. 2 д. Разрез полевого транзистора интегральной схемы, полученного с применением двух двойных «паттернирований». Снимок на просвечивающем электронном микроскопе [1].
Историю техпроцессов сведем в таблицу 1. и на рис.1 в.
Таблица 1.
В таблице 1: Строка 1 - данные развития и шага тех. процесса на последние годы даны по данным прогнозов Intel и публикаций на конец 2010 года, Строка 2 - данные развития и шага тех. процесса на последние годы даны по данным [6], Строка 3 - данные развития и шага тех. процесса на последние годы даны по моему прогнозу. Более того, в строке 3, прогнозируется изменение шага тех. процесса до Δ < 1,27 и уменьшение роста числа транзисторов на чипе. Кроме того прогнозируется следующий шаг тех. процессов 32 нм, 28 нм, 22 нм, 18 нм и 14 нм. Похоже последнее подтверждается и появившимися последнее время публикациями. Но даже этот ряд с большой вероятностью будет продолжать корректироваться, и очередная корректировка ожидается после массового освоения 22 нм тех. процесса. Именно массового освоения, а не экспериментальных или пробных чипов.
Преобразуем таблицу в график, где по горизонтали отложены годы (те же что и в таб.1), а по вертикали Δ - отн. изменение шага техпроцесса за приведенный отрезок времени.
Рисунок 3.
На графике видим, так называемую S - кривую, характеризующую развитие технологий микроэлектроники. Здесь: - участок 1(левее зеленой вертикальной линии), область экстенсивного развития соответствующая первой редакции "закона Мура", когда удвоение числа транзисторов происходило за 1 год; - участок 2 (центральный), область развития технологий соответствующая текущей версии "закона Мура", когда удвоение числа транзисторов происходит каждые 2 года; - участок 3 (правее синей линии), область развития технологий соответствующая будущей версии "закона Мура", когда удвоение числа транзисторов происходит каждые 4-5 лет.
ЗаключениеЯ не первый раз говорю о приближающемся конце гонки компаний за тонкие тех. процессы. Единичные проблемы, периодически возникающие в процессе разработки чипов новых поколений, иногда и с некоторой задержкой, решались. Но теперь есть прямые признаки указывающие на снижение шага изменения тех.процесса (рис.3). На это оказывают существенное влияние и процессы описанные на сайте в статье "Некоторые особенности схем цепей распределения питания скоростных СБИС на МОП структурах" и в том числе эффект который описал А. Рэндэлл еще 2000 г.
Теперь об этом начали говорить и специалисты.
Интересная статья на эту тему В. Цветова "Развитие классической микроэлектроники. Ожидаемые физико-технические пределы" опубликована в журнале "Электроника НТБ", №3, 2010 г. Согласно ITRS-2007 (прогноз организации International Technology Roadmap for Semiconductors от 2007 года), пределом масштабирования станут минимальные размеры элементов классических МОП-структур, составляющие 11–22 нм. Это обусловлено как техническими возможностями технологического оборудования (что в принципе решаемо, при достаточных вложениях средств), так и особенностями структуры МОП-транзистора (см. источник).
И как подтверждение этих прогнозов: В США создана программа Nanoelectronics Research Initiative– NRI ("Инициативные исследования в наноэлектронике"), первоочередная цель которой – разработка к 2022 году электронных компонентов, способных прийти на смену КМОП-микросхемам. В программе участвуют шесть крупнейших электронных компаний США – IBM, Intel, Texas Instruments, AMD, Freescale Semiconductors и Micron Technologies.
Ближайшее десятилетие покажет, где предел в тех. процессах.
Не технический порог, который в принципе может достичь и 14 нм, но есть еще и экономическая целесообразность и едва ли кто захочет платить 10000$ за процессор выполненный по 14 нм тех. процессу. А если и найдется, то будет таких любителей немного.
Литература, ссылки.1. Нанолитография в микроэлектронике, 2011 г, Р.П. Сейсян, полный вариант в виде zip архива с pdf - файлом 2. Прошлое и будущее процессоров, 2002 г, А. Сорокин 3. Техпроцессы,ч.1, ч.2, 2002-2003 г, А.Сорокин 4. Процессоры - 2012 год = 10 нм?, 2009 г, А. Сорокин 5. Будущее технологии КМОП, Рэндэлл Айзек, 16.10.2000, 6. http://ru.wikipedia.org/wiki/ Технологический процесс в электронной промышленности, 2011 г 7. Развитие классической микроэлектроники. Ожидаемые физико-технические пределы, В. Цветова журнал "Электроника НТБ", №3, 2010 г.
А. Сорокин, март 2011 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Попасть прямо в разделы сайта можно здесь:
/Неизвестный
процессор/Охлаждение ПК/Электроника для ПК/Linux/Проекты, идеи/Полезные советы/Разное/
При полном или частичном использовании материалов ссылка на "www.electrosad.ru" обязательна. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Copyright © Sorokin A.D.© |
|
2002 - 2020 |