Защита от перенапряжений электронных системна сайте www.electrosad.ru | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Защита электроники от перенапряжения и мощных помех является проблемой важной не только для спецтехники, но и для промышленности, проводных сетей и устройств вычислительной техники, связи и бытовой электроники. Эта проблема решается достаточно просто с помощью супрессоров - TVS диодов (ограничителей напряжения), варисторов, TVS-тиристористоров и разрядников и с помощью ограничителей напряжения на обычных диодах. Здесь я расскажу о применении TVS-диодов и немного разрядников. TVS диоды (супрессоры) - полупроводниковые диоды, позволяющие ограничивать импульсные всплески перенапряжения, амплитуда которых превышает напряжение лавинного пробоя диода. Эти перенапряжения возникают из-за внешних воздействий, таких как: электростатические разряды (ESD), грозовые разряды, подключение индуктивной нагрузки и др.
Статическое электричество – явление, при котором на поверхности и в объеме диэлектриков, проводников и полупроводников возникает и накапливается свободный электрический заряд. Как правило, незаряженные атомы обладают одинаковым количеством положительных и отрицательных электронов, электрически заряженными объектами считаются, обладающие малым либо избыточным числом электронов. Взаимодействие точечных электрических зарядов описывается законом Кулона. При стекании на металлоконструкции (в том числе и заземленные) происходит кратковременное повышение напряжения на металлоконструкции, проводниках, элементах электронных схем. Это повышение может многократно превышать напряжение питания электронных схем. Переходный процесс – в электрической
цепи, явление, возникающее при переходе из одного режима работы
электрической цепи в другой, отличающийся от предыдущего
амплитудой, фазой, формой или частотой действующего в цепи
напряжения, значениями параметров или конфигурацией цепи. История открытия статического заряда и его происхождениеЗакон взаимодействия электрических зарядов был открыт Шарлем
Огюстен де Кулоном в 1785 году. Однако за 11 лет до открытия и
формулирования его закона, Генри Кавендиш установил
закономерность взаимодействия зарядов, но результаты его
исследовании не были опубликованы и долгое время оставались не
известными. Электризация диэлектриков трением может возникнуть
при соприкосновении двух разнородных веществ из-за различия
атомных и молекулярных сил (из-за различия работы выхода
электрона из материалов). При этом происходит перераспределение
электронов (в жидкостях и газах еще и ионов) с образованием на
соприкасающихся поверхностях электрических слоев с
противоположными знаками электрических зарядов. Фактически атомы
и молекулы одного вещества отрывают электроны от другого
вещества. Полученная разность потенциалов соприкасающихся
поверхностей зависит от ряда факторов – диэлектрических свойств
материалов, значения их взаимного давления при соприкосновении,
влажности и температуры поверхностей этих тел, климатических
условий. При последующем разделении этих тел каждое из них
сохраняет свой электрический заряд, а с увеличением расстояния
между ними за счет совершаемой работы по разделению зарядов,
разность потенциалов возрастает и может достигнуть десятков и
сотен киловольт. Статическое электричество вокруг насСреда вокруг нас очень загрязнена не только пылью, химическими
элементами от выбросов промышленных предприятий, но и помехами,
вызванными электрическими зарядами. Электрические помехи
окружающие нас вызваны атмосферными явлениями и промышленными
устройствами.
Статическое электричество в природеЭлектростатические явления встречаются повсюду вокруг нас. Впервые электризация жидкости при дроблении была замечена у водопадов Швейцарии в 1786 году, это явление получило название баллоэлектрического эффекта. Заряженный воздух у водопадов сообщают микроскопические капельки воды и молекулярные комплексы, которые при дроблении отрываются от водной поверхности и уносятся в окружающую среду. Эффект электризации наблюдается не только у водопадов, но и в пещерах. Воздух у берегов морей приобретает положительный заряд,
вследствие разбрызгивания соленой воды. Так же наблюдаются
электрические разряды в ходе схода В результате движения атмосферных масс мы достаточно часто можем наблюдать такое явление как молния. Молния – это тот же электрический разряд, возникший в атмосфере. Это явление достаточно изучено, и в настоящей статье это явление более подробно рассматривать не будем.
Статическое электричество в техникеВ технике из-за статического электричества возникают
перенапряжения, вызывающие импульсы тока, что ведет зачастую к
выходу из строя электроники. Методы защиты электроники от
скачков и выбросов напряжения и тока мы рассмотрим позже. Возникновение перенапряженияПри эксплуатации электронного оборудования в его цепях возникают различные виды электрических перегрузок, наиболее опасными из которых являются перепады напряжения. Перепад напряжения – случайные пульсации напряжения с амплитудой большей, чем рабочее напряжение в цепи. Такие перегрузки возникают в результате возникновения электромагнитных импульсов естественного происхождения (грозовые разряды), импульсов искусственного происхождения (излучение радиопередающих устройств, высоковольтных линий передач, сетей электротранспорта и др.), а так же за счет внутренних переходных процессов в оборудовании, которые возникают при отключении емкостной, индуктивной нагрузки или электростатических разрядов. Перепад может длиться от несколько наносекунд до нескольких миллисекунд.
Такие переходные процессы сокращают срок службы электронного
оборудования или вовсе выводят его из строя, что усложняет жизнь
разработчикам электроники, которым необходимо разрабатывать
схемы защиты электронных устройств. Трибоэлектрический эффект – эффект при
котором электрический заряд возникает из-за механического
контакта двух диэлектриков. Наиболее распространенные
трибоэлектрические материалы – нейлон, бумага, резина, винил,
эбонит. Статически разряды могут достигать напряжения до 15 тысяч вольт. Форма волны разряда достигает пика в 1 наносекунду с общей продолжительностью до 60 наносекунд рисунок 2.
Рис.2. Импульс статического разряда стандарт IEC61000-4-2
Для защиты цепей электронных устройств от воздействия
электрических перегрузок могут использоваться различные методы,
основными из которых являются: Схемотехнические способы защиты включают в себя: пассивную и активную защиту. Наиболее эффективным средством защиты оборудования от воздействия является активная защита.
Основными элементами активной защиты являются, TVS-диоды (transient
voltage suppressors) (или так называемые супрессоры, защитные
диоды, ограничители Методы защиты электроники от выбросов напряженияМетоды снижения импульсных помех в цепях питания с помощью LC
и RC-фильтров, а так же экранов между обмотками сетевых
трансформаторов зачастую не Защитные элементы должны выполнять две основные функции: - отклонять скачек напряжения от защищаемых цепей, - фиксировать перепад напряжения ниже порога повреждения защищаемого элемента для данной ширины импульса. С дальнейшим, восстановления нормальной работы цепи (без явлений перепадов), защитный элемент не должен ухудшать функционирование защищаемой цепи. Так гасящий элемент для высокоскоростных интерфейсов должен обладать достаточно быстрым временем реакции, низким защитным и рабочим напряжением и в случае портативных или ручных устройств, они должны занимать минимум рабочего пространства. Как правило, чем ближе находится
элемент гасящий броски напряжения к защищаемому устройству, тем
лучше могут быть его ограничивающие характеристики. - ограничители сигнала, - электронные ключи. Каждый из типов
устройств оптимизирован для
определенных условий переходного процесса. Электронно-ключевые устройстваНа первом этапе устройства гашения импульсов электронные
ключи (TVS-тиристоры) находятся в закрытом состоянии. Это
состояние длится до тех пор, пока не TVS-диодыОграничитель напряжения – это полупроводниковый диод, работающий на обратной ветви вольтамперной характеристики (ВАХ) с лавинным пробоем или на прямой ветви ВАХ. TVS-диод предназначен для защиты от перенапряжения интегральных и гибридных схем, радиоэлектронных компонентов и др. У полупроводниковых ограничителей напряжения ВАХ аналогична ВАХ стабилитронов. В условия нормальной работы ограничители являются высокоимпедансной нагрузкой по отношению к защищаемой схеме и служат для защиты цепи. В идеале устройство выглядит как разомкнутая цепь с незначительным током утечки. Когда напряжение переходного процесса превышает рабочее напряжение цепи, импеданс ограничителя понижается, и ток переходного процесса начинает течь через ограничитель. Мощность, образовавшаяся при переходном процессе, рассеивается в пределах защитного устройства и ограничивается максимально допустимой температурой перехода. Рис. 3. Вольтамперная характеристика (ВАХ) TVS-диода
Когда линейное напряжение достигает нормального уровня, ограничитель автоматически возвращается в высокоимпедансное состояние. Одним из основных параметров TVS-диодов является время реакции. Время реакции на обратной ветке ВАХ (ветка лавинного пробоя) составляет несколько пикосекунд. Применение TVS - диодов позволяет упростить схемы устройств защиты и повысить их надежность (например по сравнению с защитными тиристорами). К сожалению, стандартная технология TVS-диодов не позволяет делать их достаточно эффективными для напряжений ниже 5 вольт. Как правило защитные диоды – это кремниевые плоскостные диоды намеренно разработанные с большой областью переходя, для того чтобы они могли справляться с высокими скачками напряжения, что делает их бесполезными для использования при низком напряжении. Их емкостное сопротивление напрямую относится к области перехода и растет экспоненциально, в то время как рабочее напряжение снижается. Влияние емкостной нагрузки, которую создает защитный диод
высокочастотному сигналу или передаче через длинную линию,
приводит к значительному ухудшению или отражению сигнала.
Инновационные разработки TVS-диодов последних лет включают в
себя устройства защиты, обладающие низким емкостным
сопротивлением. Методы защиты на их основе делятся на три
группы: низкоемкостное шунтирование, защита на основе информации
о скачках напряжения и низкоемкостной мост. Низкоемкостное шунтированиеЭтот метод имеет преимущество перед другими методами, заключающееся в том, что емкостные элементы соединены последовательно (в качестве емкостных элементов выступают компенсационный и защитный диод) (рис. 4). Величина эффективной емкости двух последовательно соединенных элементов всегда меньше величины емкости наименьшего из них. В таком случае TVS-диод выигрывает за счет наличия соединенного последовательно низкоемкостного компенсационного выпрямителя. Две пары защитный диод плюс выпрямитель соединенных встречно-параллельно для гарантии того, что в условиях переходного процесса компенсационный диод не перейдет в обратное смещение. Устройства, доступные сегодня, включают в себя одну или несколько пар элементов TVS + выпрямитель, в зависимости от сферы применения. Рис.4. Встречно-параллельное включение
Конфигурация Rail-to-RailПри защите высокоскоростных устройств передачи данных на основе информации о скачках напряжения используются низкоемкостные регулирующие диоды (рис. 5). Рис.5. Встречно-параллельное включение выпрямительных диодов
Между двух устройств, размещенных на линии в ряд, проведены два вывода с фиксированным напряжением – «земля» и опорное напряжение. В тот момент, когда импульс напряжения на линии превысит сумму прямого напряжения диода и опорного напряжения, диоды направят его на питающую шину или «землю». Достоинства этого метода – низкая емкостная нагрузка, быстрое время реакции и двунаправленность (относительно опорного напряжения). Однако при использовании данного метода, необходимо учитывать: - первое - дискретные элементы обычно не рассчитаны на высокие скачки токов, связанных электростатическим разрядом (выпрямители обладают маленькой площадью перехода и при превышении номинальной мощности могут выйти из строя), - второе –
перенаправление импульса на питающую шину может привести к
повреждению компонентов источника питания. Низкоемкостной мостТретий метод низкоемкостной защиты – мостовая конфигурация, заключается в следующем: мостовые выпрямители работают на уменьшение эффективной емкостной нагрузки, а так же направляют входящий переходный ток через TVS-диод (рисунок 6).
Рис.6. Встречно-параллельное включение выпрямительных диодов
Использование данного метода позволяет защитить линии передач данных, как от помех общего вида, так и от помех при дифференциальном включении. Однако применение данного метода выполненного на дискретных компонентах не рекомендуется в силу выше перечисленных причин. Предпочтительным решением в этом случае будет применение
интегрированного устройства, включающего в одном корпусе
корректирующий всплески диодный мост и TVS-диод. Выбор и применение TVS-диодовДля обеспечения требуемых технических и эксплуатационных
характеристик аппаратуры основную роль играет выбор и
правильность применения полупроводниковых защитных диодов (супрессоров).
От этого зависит надежность аппаратуры и самих диодов. Таким
образом, полупроводниковые TVS-диоды для любого устройства
должны удовлетворять следующим требованиям: Схемы защиты аппаратурыПри выборе защитных диодов в первую очередь определяются
параметры импульса переходного процесса, то есть амплитуду
напряжения, длительность импульса и его форму. Параметры
защищаемой цепи выбираются из следующих условий: активное
сопротивление и/или индуктивность цепи, и характеристики
напряжения действующего в цепи при отсутствии импульса
переходного процесса, а так же допустимую амплитуду напряжения в
цепи в момент воздействия импульса переходного процесса. Одноуровневые схемы защитыЗащита цепей питания переменного тока Защита цепей переменного тока может осуществляться путем включения двух несимметричных TVS-диодов, как показано на рисунке 7 и 8. Включение элементов
Рис.9 Схема защиты с симметричными TVS-диодом включенным в диагональ моста
Однако быстродействие защиты в этом случае будет определяться временем отключения выпрямительных диодов.
Защита цепей постоянного токаДля защиты цепей постоянного тока от различного рода перегрузок по напряжению используются несимметричные защитные диоды.
Рис.10. Типовая схема включения TVS-диодов для защиты ИП
Несимметричность TVS-диодов позволяет осуществить защиту на
разных потенциальных уровнях, что характерно для цепей
постоянного тока. Пороговое напряжение этих приборов ниже уровня
ограничителя и позволяет обеспечивать автоматическое отключение
от цепи постоянного тока после прохождения импульса напряжения.
Время их включения меньше самых быстрых переходных процессов,
что также определяет предпочтительность их применения в цепях
постоянного тока. Типовая схема TVS-диодов для защиты источников
питания постоянного тока от электрических перегрузок по
напряжению приведена на рисунке 10. Защитные диоды в таком
случае должны включаться на входе каждого потребителя и выходе
источника питания. Для надежной защиты ключевого элемента от опасных перегрузок по напряжению используется схема защиты, приведенная на рис.11в.
Рис.11. Схемы защиты ключевых элементов
Одной из наиболее частых причин выхода из строя электронных
устройств, включающих в себя MOSFET транзисторы, является
превышение допустимого значения напряжения сток-исток V DS . Так
при переключении индуктивной нагрузки происходит перенапряжение,
в результате которого превышается максимально допустимое
напряжение V DS MOSFET транзистора, что вызывает лавинный пробой
полупроводника и разрушение транзистора. Одним из методов защиты
MOSFET является схема включения защитного диода между стоком и
истоком.
Рис.12. Защита MOSFET транзистора Защита цепей передачи данных и цепей переменного тока высокой частотыПрименение TVS-диодов – это хорошее решение для защиты подобных цепей. Выбор защитного диода зависит от характера сигналов действующих в цепях (одно- или двухполярных) и частоты их повторения.
Рис.13. Защита линии передачи данных
Для защиты цепей с однополярными сигналами может быть использована схема включения несимметричных TVS-диодов, приведенная на рисунке 13. Защитные диоды включаются в каждую сигнальную цепь передачи данных. При наличии в цепи двухполярных сигналов, вместо, несимметричных защитных диодов используются симметричные TVS-диоды.
Рис.14. Защита USB
На рисунке 14 приведена схема защиты для портов USB, в качестве защитного элемента в схеме можно применить сборку защитных диодов серии PRTR5V0U2X (NXP), обладающую низкой емкостью и высокой скоростью реакции, выполненных в едином 4-выводном корпусе SOT4. Диодная сборка позволяет обеспечить защиту двух высокоскоростных шин без потерь сигнала.
Рис.15. Защита CAN шины
Особую роль играют схемы защиты в автомобильной электронике. На рисунке 15 приведена схема защиты для автомобильной системы передачи данных, построенной на высокоскоростном CAN-трансивере серии TJA1042. В качестве элемента защитной схемы применена диодная сборка серии PESD1CAN обеспечивающая защиту двух линий. Сборка, выполненная в корпусе SOT23 разработанная компанией NXP для применения в автомобильной электронике.
Рис.16. Защита высокочастотных линий
Аналогичную схему защиты можно применять и для LIN шин,
например с использованием диодной сборки в корпусе SOD323 серии
PESD1LIN. Асимметричная конструкция диода позволяет максимально
эффективно защитить электронику автомобиля. Для защиты
высокоскоростной автомобильной шины стандарта FlexRay компания
NXP рекомендует применять защитные диоды серии PESD1FLEX
выполненных в маленьком корпусе для SMD монтажа SOT23. Многоуровневые схемы защитыМногоуровневые схемы защиты используются в том случае, когда величина энергии защитного диода превышает установленный для него допустимый уровень. Типичным примером использования многоуровневой защиты является двухступенчатая защита в симметричных линиях связи, где TVS-диоды включают в каждую цепь линии симметрично относительно общей шины заземления, как показано на рисунке 17 а и б, для случаев защиты низкочастотных и высокочастотных цепей. Время прохождения импульса тока через TVS-диоды равно времени запаздывания пробоя разрядников, которое не превышает 0,5-1 мкс, поэтому
Рис.17. Многоуровневые схемы защиты поглощаемая диодом энергия не велика, и основная доля энергии
напряжения поглощается разрядником. При наличии второй ступени
защиты в цепь должен быть включен дополнительно ограничивающий
резистор. Необходимо учитывать!При проектировании защиты на TVS - диодов необходимо учитывать их высокую емкость, которая обуславливается их конструкцией и принципом работы. Эта емкость может существенно влиять на сигнальные цепи шунтируя сигнал, искажая его.
Рис. 18. Зависимость С от V(BR) для серий дискретных TVS-диодов серии 1.5KE6.8 - 1.5KE440CA (1N6267 - 1N6303A) Для снижения влияния емкости применяются методы описанные выше.
Сравнение элементов защиты от перенапряженийКак отмечалось ранее, основными элементами активной защиты
являются, TVS-диоды (transient voltage suppressors), варисторы,
TVS-тиристоры, разрядники и др.
Производители защитных диодовНа рынке производителей защитных полупроводниковых электронных компонентов работают: Vishay, NXP , STMicroelectronics, Diotec, Fairchild и др. Наиболее известна компания Vishay. Компания за счет приобретения ряда производителей или их подразделений по производству полупроводниковых элементов таких как Siliconix, Telefunken, Infineon, General Semiconductor, Dale, Draloric, Sprague, Vitramon, Sfernice, BCcomponents, Beyschlag, росла и развивала направления своей продукции. STMicroelectronics – одна из крупнейших компаний производящая полупроводниковые компоненты, образованная в результате слияния двух компаний по производству микроэлектроники: итальянской Società и Generale Semiconduttori (SGS) Microelettronica и французской Thomson Semiconducteurs. Infineon, немецкая компания, образовавшаяся путем
выделения в самостоятельную компанию подразделения корпорации
Siemens, заняла свою нишу на Fairchild – американская компания до недавнего времени принадлежавшая компании National Semiconductor, и в 1997 году ставшая самостоятельным предприятием со штаб-квартирой в штате МЭН. ON-Semiconductors – еще один американский производитель
электронных компонентов. Штаб-квартира компании находится в
городе Феникс (штат Аризона) была NXP Semiconductors одна из ведущих компаний по производству полупроводниковых компонентов, основанная компанией Philips Semiconductors, и выделена в самостоятельную компанию в 2006 году имеет более 50 заводов по всему миру. В продукции выпускаемой компанией NXP можно найти практически все полупроводниковые компоненты от диодов, транзисторов общего назначения и MOSFET транзисторов, одну из наибольших линеек микроконтроллеров (более 300), микросхем для бесконтактных охранных систем (HITAG, MIFARE, I-CODE, UCODE, NFC) и заканчивая мультимедийными микросхемами аудио и видео кодеров и декодеров, и Hi-END процессором Nexperia. В каталогах компании NXP насчитывается около 300 наименований защитных диодов. TVS-диоды выпускаются в различных модификациях исполнения и вариантах корпусов, от простых SOT23, до 20-выводных SOIC. В таблице 1 перечислены некоторые линейки защитных диодов и их краткие характеристики. В сочетании с передовыми технологиями и европейским подходом к организации производства продукция компании NXP позволяет применять ее в различных отраслях электроники, где предъявляются повышенные требования к надежности аппаратуры. Так же на Российском рынке электронных компонентов распространены электронные компоненты различных Восточных производителей с сомнительным качеством выпускаемой продукции, например Diodes, DC Components, Pan Jit и другие.
Таблица 1, Защитные диоды NXP
Еще одним из ведущих производителей полупроводниковых
элементов является компания Diotec. Компания Diotec
Semiconductor AG (Diotec) – была образована в 1973 году в городе
Хайтерсхайм (Германия). На сегодняшний день компания является
ведущим производителем стандартных и силовых полупроводниковых
диодов и выпрямителей. Благодаря применению собственной
уникальной технологии Plasma EPOS, не имеющей аналогов в мире,
обеспечивающей высокое качество производимой продукции.
Таблица 2. TVS-диоды Diotec
Маркировка TVS-диодов Diotec основано на различных системах
обозначения: Обозначение, основанное на напряжении пробоя: V BR : P4KE…,
P6KE…, 1.5KE…, BYZ35…, BYZ50…, TGL34…, TGL41…, SDA2AK, SDA4AK,
наименование таких позиции основано на номинальном напряжении
пробоя.
Номинальное напряжение допускается ±5% или ±10%, в дополнение к
этому Diotec устанавливает максимальное значение напряжения
стабилизации для каждого типа. Обозначение, основанное на напряжении стабилизации :V WM : BZW04…, BZW06…, 5KP…, P4AMAJ…, P6SMBJ…, 1.5SMCJ…, наименование таких позиции основано на максимальном значении напряжения стабилизации. Соответствующее напряжение пробоя так же определяется спецификацией, но не номинальной величиной, а минимальным значением.
При выборе схем защиты электронных устройств следует
учитывать некоторые рекомендации, описанные выше, одной из
важных составляющих при защите
В таблице 5 приведены примеры аналогов защитных диодов
различных производителей. Таблица 3, Примеры аналогов TVS-диодов различных производителей
Опыт применения компонентов компаний NXP и Diotec показал, что их легко можно применять в электронике, где ранее применялись электронные компоненты других известных производителей, таких как Infineon, STMicroelectronics, Fairchaild, ON-Semiconductors, Vishay, а зачастую и превосходить качественные и ценовые параметры этих производителей.
Газонаполненный разрядник (GDT - Gas Discharge Tube)Газонаполненный разрядник (GDT - Gas Discharge Tube) - устройство, предназначенное для ограничения перенапряжений, возникающее в электрических цепях при коммутации электроустройств, при атмосферных явлениях (в частности грозовой разряд) и др. Обычно состоит из керамической трубки, заполненной инертными газами. В сравнении с другими устройствами защиты от перенапряжений газоразрядники способны рассеивать большую энергию и выдерживать токи до десятков килоампер. Главный минус газоразрядников - достаточно большое время срабатывания (до единиц микросекунд) делает их не самым лучшим решением для защиты скоростных интерфейсов. Эта проблема решается созданием комплексных цепей защиты, т.е. комбинированием газоразрядника и, например, TVS диода.
Рисунок 19 Схема работыПри нахождении газоразрядника в состоянии покоя (напряжении ниже напряжения пробоя) внутренне сопротивление газоразрядника велико и он не проводит ток. При увеличении напряжения выше напряжения пробоя сопротивление резко падает и газоразрядник переходит в проводящее состояние. Это состояние тлеющего разряда, при котором газоразрядник потребляет ток около 0,5 А и напряжение между электродами достигает около 100 В. Далее внутри газоразрядника возникает разряд (световая дуга), напряжение которого составляет примерно 20 В, а протекающий ток достигает десятков килоампер. Через некоторое время напряжение дуги ослабевает, ток прекращается и разрядник переходит в нормальное состояние. Стоит заметить, что собственная емкость газонаполненного разрядника мала, т.е. он не вносит существенных изменений в сигнал. Основные примененияГазонаполненный разрядники находят применеие в телекомуникационной аппаратуре, телефонии, передающем оборудовании. Преимущества разрядников
Таблица 4. Пример применения разрядниковОсновные источники перегрузок с кабельных сетях - грозовые (электромагнитная наводка от грозового разряда и токи растекания разряда) и индустриальные (коммутация мощных потребителей и источников, перегрузки сети, переходные процессы в ЛЭП). Удар молнии в телевизионную башню вызывает, за счет конечного сопротивления цепей заземления, бросок напряжения на земле башни (и, следовательно, передатчика и модулятора) по отношению к удаленной земле (например, земле аппаратно-студийного комплекса /АСК/). Величина перегрузки зависит от энергии молнии и сопротивления грозозащитного заземления башни, определяемого типом и влажностью грунтов. Как показывает статистика ремонта, наихудшее сочетание (высокоэнергичные грозы и сухой грунт) обычно достигается во второй половине лета. В зависимости от энергии и протяженности разряда, длины линии между АСК и передатчиком и способа ее прокладки, перегрузка, вызванная грозовым разрядом на линиях между башней и АСК, обычно составляет от десятков до сотен вольт в течении нескольких десятков микросекунд. В ряде случаев (скалистый грунт, сухое лето, длинная воздушная линия) перегрузки могут достигать многих киловольт в течении сотен микросекунд.
Рисунок 19. Формирование грозового импульса
а). эквивалентная схема телевизионной башни и АСК б). форма напряжения грозового импульса в магистральном кабеле
На рисунке 19 а приведена эквивалентная схема телевизионной башни, соединенной с АСК, где: L – индуктивность башни, С 2 – емкость башни относительно земли, С 1 – распределенная емкость элементов башни, R i – сопротивление заземления башни, R r – сопротивление заземления АСК. На рисунке 1.1б приведена форма огибающей импульса напряжения в магистральном кабеле, соединяющим телевизионную башню и АСК при грозовом разряде. Первый пик импульса обусловлен емкостью C 1 , второй – контуром LС 1 C 2. В зависимости от параметров башни и линии, длительность первого импульса, обусловленного прямой электромагнитной наводкой на линию, может составлять от сотен наносекунд до единиц микросекунд, а длительность второго импульса – во много раз больше.
Рисунок 20. Эквивалентная схема распределения грозовых токов и напряжений.
На рисунке 20 приведена эквивалентная схема распределения грозовых токов, протекающих по цепям заземления и оплеткам кабелей, и соответствующих напряжений, где: R k – сопротивление магистрального кабеля, Rб – сопротивление башни, RАСК – эквивалентное сопротивление цепей сигнального заземления АСК, i 0 – ток грозового разряда, i k – ток грозового импульса в линии, i a – ток заземляемый грозозащитой, i e – ток грозового импульса в линии после прохождения грозозащиты, ΔU – разница потенциалов между землями башни и АСК, Uвх – напряжение, поступающее на вход АСК. При ударе молнии в башню, ток разряда i 0 частично
заземляется через сопротивление заземления башни R i , а
частично поступает в линию (i k ). Разность потенциалов между
землями башни и аппаратно-студийного комплекса определится
потенциалом земли башни в момент разряда молнии и составит ΔU =
i 0 R i.
При типичном значении тока грозового разряда 20-100 кА (пиковое
значение) и сопротивлении заземления башни 0.1 Ом (например),
разность потенциалов между землями составит 2-10 кВ, что
способно вывести из строя и кабельные системы и устройства
формирования и передачи сигнала.
Uвх = i х Rаск
и будет тем меньше, чем меньше сопротивление цепей заземления и чем больше сопротивление кабеля и разделительных/защитных устройств в кабельной цепи. Типовая схема защиты симметричной линии (рис. 21) складывается из токовой защиты и защиты от перенапряжения. В качестве токовой защиты применяют различные типы предохранителей, мощные резисторы. В качестве защиты от перенапряжения применяют разрядники, полупроводниковую защиту: стабилитроны, тиристоры. Рисунок 21. Типовая схема защиты.
Газовый разрядник (GDT – Gas Discharge Tube) является
первичной относительно быстродействующей (80-200 нс) защитой,
способной погасить значительные (до 20 кА) импульсные токи и
обеспечивает разряд импульса напряжения на землю при достижении
U gdt .(90-120В).
Пример работы устройства защиты серии TRZРисунок 22. Формы напряжения в различных участках устройства грозозащиты TRZ-41AS: а). входное воздействие, U in = 450 В; б). напряжение на газовом разряднике, U gdt = 90 В; в). напряжение на стабилитроне, U d = 25 В; г). напряжение на выходе.
Конечно проблема защиты электронных устройств от перенапряжений много шире чем это описано здесь и каждый конкретный случай требует особого рассмотрения и своего оптимального решения. И здесь невозможно описать все. Но цель этой подборки ознакомить Вас с возможными решениями с применением рассмотренных компонентов.
По материалам: сайтов МикроЭМ http://microem.ru/ и Гамма http://www.gamma.spb.ru/ Электростатика и электронные компоненты Собрал, обобщил и добавил А.Сорокин, 2013 г. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Попасть прямо в разделы сайта можно здесь:
/Неизвестный
процессор/Охлаждение ПК/Электроника для ПК/Linux/Проекты, идеи/Полезные советы/Разное/
При полном или частичном использовании материалов ссылка на "www.electrosad.ru" обязательна. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Copyright © Sorokin A.D. |
|
2002 - 2020 |